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          樣品預處理,破壞分析

          皮膜剝離(Epoxy molding compound去除預處理)

          電子配件一般由被叫做epoxy molding compound的合成模塑料圍繞而成,以保護內部chip。為了觀察內部chip或gold wire、lead frame,去除合成模塑料的過程可稱為皮膜剝離。
          皮膜剝離大致可分為只去除一部分的hole decapsulation和去除整個EMC的full decapsulation。Hole decapsulation是針對內部wire和bonding pad不引起任何損傷而去除EMC的工程,能另行電氣測量顯然是個優點。除了EMC外,還能提供對glass材質或金屬材質device進行皮膜剝離的服務。
          Decapsulation ( Epoxy molding compound ?? ???)

          皮膜剝離適用領域

          • 為EMMI測量的預處理

          • 為修改FIB電路的預處理

          • 為分析內部chip不良的預處理

          Delayering(去除Chip內部層預處理)

          半導體由多個金屬層和氧化膜組成。為分析半導體內部結構,需要一層一層地去除每個層次時,將進行delayering。以利用化學藥品的濕式蝕刻和利用gas的干式蝕刻以及利用物理化學功法的polishing法,能一一去除內部層面。
          Metal 4 Layer / Metal 3 Layer / Metal 2 Layer / Metal 1 Layer / Poly Layer / Active Layer

          Delayering 適用領域

          • 鋁層etch

          • 銅層etch

          • 硅氧化層etch

          • 多晶硅etch

          • 化合物半導體每個layer etch及分析

          • 半導體失效分析

          • 反向設計

          Cross Section(斷面分析方法)

          該方法主要用在觀察電器配件或PCB、SMT level斷面時采用的分析方法。通過所要確認部位的斷面觀察,檢測出結構分析及不良原因。
          針對通過Scanning acoustic tomography檢測的剝離現象進一步確認正確的不良部位時常利用的試驗方法,像solder joint crack或solder resist crack一樣,要檢測高難度不良現象的情況下廣泛采用本試驗。
          Cross Section (?? ?? ??)

          Cross Section 使用領域

          • Package, Chip 結構分析

          • Reverse Engineering

          • PCB 分析

          • Solder Joint 分析

          FIB(Focused Ion Beam, 微小斷面/蒸鍍預處理)

          Focused ion beam從對試料表面注入離子波束,進行影視處理的角度來說,類似于SEM。而且通過離子波束的注射對試料微小部位可以蝕刻所需形態,并以Pt蒸鍍,對所要的部位能蒸鍍所需形態。利用這種特性,一般用來修改半導體電路,對微小部位上的不良部分可以進行斷面分析。
          FIB (Focused Ion Beam, ?? ??/?? ???)

          FIB 適用領域

          • 修改電路

          • 分析Chip結構

          • 分析Chip不良

          • 分析Intermetallic compound結構


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