Temperature | Bias | Duration | Sample Size |
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Tj ≥ 125 °C | Maximum Operating Voltage | 48 ≤ t ≤ 168 hrs | Refer to JESD47 |
* 按所要求的FPM水平,最低可設為229,最高可設為115,153。
JEDEC試驗:求前期不良率;AEC試驗:判斷合格與否 | |
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0級:在150 °C 48小時或在175 °C 24小時 | sample Size : 3Lots (800 units/lot) |
1級:在125 °C 48小時或在150 °C 24小時 | |
2級:在105 °C 48小時或在125 °C 24小時 | |
3級:在85 °C 48小時或在105 °C 24小時 | |
4級:在70 °C 48小時或在90 °C 24小時 |
* 上述條件中選擇一項以上進行試驗。試驗完畢后48小時內進行電氣特性試驗,若試驗結果出現0個“否”,將獲得相應等級。
JESD22-A108 “Temperature, Bias and Operating Life”
AEC-Q100-008 “Early Life Failure Rate”
與導致前期不良的Burn-in不同,HTOL是為評估產品在使用條件中使用壽命程度的項目,試驗焦點放在wear-out failure。因此使用壽命試驗應預留充分的時間進行,以免被前期不良或在infant mortality區段發生不良影響。
試驗時間根據周邊溫度(ambient Temperature)可能增加或減少,除非有特殊要求,試驗停止后96小時內應進行中間測量或最終測量。通常當168小時(+72, -0)和504小時(+168, -0)時進行中間測量。HTOL與只是長時間進行的burn-in相似,可直接使用burn-in oven。因HTOL被加速的不良機制有Time-Dependent Dielectric Breakdown(TDDB)、electromigration、hot carrier effects、charge effects、mobile ionic contamination等。
溫度 | 偏置(Bias) | 維持時間 |
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Tj ≥ 125 °C | 最高操作電壓 | 1000 小時 |
JESD22-A108 “Temperature, Bias and Operating Life”
LTOL是測試產品在低溫下長時間操作時體現何等可靠性的評估試驗。該試驗向試料施加所規定的Bias,在規定的溫度(低溫)下長時間進行試驗。LTOL概念基本與HOTL一致,JEDEC -JESD22-A108中也有記載兩種試驗。如同HOTL一樣,施加電源的方法上有幾點要求:第一、不能發生Overstress或thermal runaway;第二、不可超標相應datasheet上規定的limit。
除了中間測量外,整個試驗時間均適用試驗條件。除非有特殊規定,LTOL試驗的周邊溫度最低可調到-40 ℃。中間測量必須進行在從去除試驗條件96個小時內,若試料滿足不了相應spec特性,就被判定為不良。一般為了評估主要在高電壓及低溫狀態下加重的hot carrier effect而進行本試驗。
溫度 | 偏置(Bias) | 維持時間 | 標本尺寸 |
---|---|---|---|
Tj ≤ 50 °C (Maximum Ta ≤ -40 °C) | 最高操作電壓 | 1000 小時 | 1Lots / 32個 |
JESD22-A108 “Temperature, Bias and Operating Life”
所謂非揮發性內存可靠性試驗,可分為1)耐久性試驗(反復試驗輸入/刪除)和2)數據維持試驗。
耐久性試驗中按規定次數反復進行輸入、刪除,被判定為“Pass”的話將整個樣品分成一半進行數據維持試驗。此時設計者(或可靠性負責人)需要親自指定要測試的pattern和輸入、刪除的portion。每不同Spec維持試驗會有所不同,JEDEC使用HTSL和LTOL,AEC則使用HTOL和HTSL。
數據維持試驗 | ||
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HTDR | LTDR | |
選項1:Tj = 100 °C | 選項2:Tj = 125 °C | Ta = 25 °C |
3 Lots / 39 個 | 3 Lots / 38 個 | |
Cycles per NVCE(≥55 °C) / 96 及1000小時/ 0不合格 | Cycles per NVCE(≥55 °C) / 10 及100小時/ 0不合格 | Cycles per NVCE(25 °C) / 500 小時/ 0不合格 |
JESD22-A117 “Electrically Erasable Programmable ROM (EEPROM) Program/Erase Endurance and Data Retention Stress Test”
AEC-A100-005”Non-Volatile Memory Program/Erase Endurance, Data Retention, and Operational Life Test”