電氣測試服務

人體模型（HBM）

該試驗假設“半導體”與“人體”是經過多種方式取得電荷或失去電荷的兩種物質。
準備一個模仿人體特性的電路，向半導體施加ESD pulse。HBM分類水平為250 V ~ 8000 V。

機器模型 (MM)

該試驗虛擬營造半導體生產工程中通過與設備或其他金屬的摩擦，充電荷后再接觸其他物質時發生的ESD現象。MM分類水平為50 V ~ 400 V。

CDM模型

是最接近于Field不良的試驗。
該試驗利用向Package充電荷的方法。CDM分類水平為200 V ~ 1000 V。

人體模型 (HBM)

機器模型 (MM)

CDM模型

• JESD22 B110 “For Electrostatic Discharge Sensitivity Testing (HBM)”

• AEC-Q100-002 “Human Body Model Electrostatic Discharge Test”

• AEC Q101-001 “Human Body Model Electrostatic Discharge Test”

• JESD22-A115 “Electrostatic Discharge (ESD) Sensitivity Testing Machine Model (MM)”

• AEC-Q100-003 “Machine Model Electrostatic Discharge Test”

• AEC-Q101-002 “Machine Model (MM) Electrostatic Discharge (ESD)Test”

• JESD22-C101 “ Field-Induced Charged-Device Model Test Method for Electrostatic- Discharge-Withstand Thresholds of Microelectronic Components”

• AEC-Q100-011 “Charged-Device Model (CDM) ) Electrostatic Discharge Test”

• AEC-Q101-005 “Capacitive Discharge Model (CDM) Electrostatic Discharge Test”

• JJESD22-78 “Latch-up”

Latch-up試驗機和試驗插座基板

當直接電路或電子配件對電涌（surge）引起影響時，對此可以設定一般的允許標準。該試驗根據最終試驗結果表明的每個試驗PIN組合和對極性的最少保證水平，可以決定每個EOS電涌的IC允許程度。

合成波形		試驗次數
開路電壓（OCV）	短路電壓（SCC）
上升：1.2? ± 20% 持續時間：50? ± 30%	上升：8? ± 20% 持續時間：20? ± 30%	3 次

EOS 脈沖規格 (IEC 61000-4-5)