該試驗假設“半導體”與“人體”是經過多種方式取得電荷或失去電荷的兩種物質。
準備一個模仿人體特性的電路,向半導體施加ESD pulse。HBM分類水平為250 V ~ 8000 V。
該試驗虛擬營造半導體生產工程中通過與設備或其他金屬的摩擦,充電荷后再接觸其他物質時發生的ESD現象。MM分類水平為50 V ~ 400 V。
是最接近于Field不良的試驗。
該試驗利用向Package充電荷的方法。CDM分類水平為200 V ~ 1000 V。
JESD22 B110 “For Electrostatic Discharge Sensitivity Testing (HBM)”
AEC-Q100-002 “Human Body Model Electrostatic Discharge Test”
AEC Q101-001 “Human Body Model Electrostatic Discharge Test”
JESD22-A115 “Electrostatic Discharge (ESD) Sensitivity Testing Machine Model (MM)”
AEC-Q100-003 “Machine Model Electrostatic Discharge Test”
AEC-Q101-002 “Machine Model (MM) Electrostatic Discharge (ESD)Test”
JESD22-C101 “ Field-Induced Charged-Device Model Test Method for Electrostatic- Discharge-Withstand Thresholds of Microelectronic Components”
AEC-Q100-011 “Charged-Device Model (CDM) ) Electrostatic Discharge Test”
AEC-Q101-005 “Capacitive Discharge Model (CDM) Electrostatic Discharge Test”
JJESD22-78 “Latch-up”
為分析EOS故障的事例研究
當直接電路或電子配件對電涌(surge)引起影響時,對此可以設定一般的允許標準。該試驗根據最終試驗結果表明的每個試驗PIN組合和對極性的最少保證水平,可以決定每個EOS電涌的IC允許程度。
合成波形 | 試驗次數 | |
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開路電壓(OCV) | 短路電壓(SCC) | |
![]() 上升:1.2? ± 20% 持續時間:50? ± 30% | ![]() 上升:8? ± 20% 持續時間:20? ± 30% | 3 次 |
EOS 脈沖規格 (IEC 61000-4-5)