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        1. 試驗分析及設備應用服務
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          電子零件缺陷分析

          SEM(掃描電子顯微鏡:Scanning Electron Microscope)

          掃描電子顯微鏡(SEM, Scanning electron microscope)用來擴大觀察及分析試料微小部分。與以最高1,500倍率觀察事物的光學顯微鏡相比,SEM能比它高80萬的倍率觀察試料,觀測用試料制作起來簡單,因此廣泛使用于觀察試料表面。并且以10~100的低倍率觀察時也同樣可以使用。在高倍率視界較窄,但在低倍率視界較寬,若要觀察對象物的全體,低倍率更有效。因此在類似情況下常常采用低倍率觀察。
          SEM是一種分析設備,主要是檢測并增大將電子Beam注射試料表面時,試料表面發射的2次電子(Secondary electron),在屏幕上將此做成顯示表面高度的視頻。此時可以利用安裝在SEM設備內部的能源分散X射線能量色散譜(EDS, Energy dispersive X-ray spectroscope)分析試料的組成成分。

          SEM (掃描電子顯微鏡 : Scanning Electron Microscope)

          SEM 使用領域

          • 表面分析

          • 失效分析:Package、Die、PCB、SMT Level

          • 反向設計

          • 長度測量

          • VC Image

          • 成分分析:Point、Line、Mapping

          EDS(能源分散X射線能量色散譜:Energy dispersive X-ray spectroscope)

          能源分散X射線能量色散譜(EDS)是分析未知試料的化學成分的設備,利用P-i-n檢測機檢測并增大能源形態的特性X射線(Characteristic X-ray),將此顯示為光譜形態。
          EDS (能源分散X射線能量色散譜:Energy dispersive X-ray spectroscope)

          EDS適用領域

          • 對雜志、污染部位的定性分析

          • Line成分分析方法

          • Mapping分析方法

          Photon Emission Microscope(Photon 釋放分析系統)

          Photon emission microscope是對wafer或package狀態的device施加電氣信號,檢測在不良位置發生的微弱photon的一種系統,一般檢測device泄露電流及short不良位置時常用的設備。
          對device注射IR laser beam解讀模式后通過CCD camera或InGaAs camera確認形象,以此找出發生不良的部位。
          通常檢測leakage、oxidation breakdown、ESD failure、發生hot carrier、latch up等不良時使用。
          Photon Emission Microscope (Photon ?? ?? ???)

          Photon Emission Microscope
          適用領域

          • Standby Current不良

          • Pin Leakage不良

          • ESD不良

          • 檢測發生Latch up的Point

          Thermal Emission Microscope(熱發射分析系統)

          Thermal emission microscope是對device施加電氣信號,檢測不良部位熱度的一種系統,一般檢測device泄露電流以及short不良位置時使用的設備。
          對device注射IR laser beam解讀模式后通過CCD camera或InSb camera確認形象,以此找出發生不良的部位。通常檢測氧化膜microplasma泄露、氧化膜破壞(Oxide layer breakdown)、金屬配線短路(Short circuit of Metallization)等不良現象時使用。
          Thermal Emission Microscope (熱發射分析系統)

          Thermal Emission Microscope
          適用領域

          • Metal 配線的 Short

          • Contact 的電阻異常

          • 氧化膜的 Microplasma Leakage

          • 氧化膜破壞

          • 觀察Device內溫度異常部位

          Dye & Pry 分析(燃料滲透探傷分析)

          該分析法對電子配件與printed circuit board之間的接合部分滲透燃料,確認是否存在缺陷,若有缺陷的話還能分析其位置和大小。
          可以確認是否存在Solder joint crack及open不良現象。
          Dye & Pry 分析 (燃料滲透探傷分析)

          Dye & Pry 適用領域

          • 電子配件與PCB之間錫焊接合部位的皸裂

          • 電子配件與PCB之間錫焊接合部位的缺陷


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